北极星智能电网在线讯:铁电随机存取记忆体(FRAM)具有比传统记忆体更快的写入速度、更低功耗及更佳的保密性，特别适合用于须长时间采集病患生理参数的医疗设备，以及频繁记录用户耗电情形的智慧电表，提供更省电且安全可靠的应用品质。
铁电随机存取记忆体(FRAM)是一种使用铁电材料来保存资料的非挥发性记忆体。这种记忆体融合了随机存取记忆体(RAM)和唯读存储记忆体(ROM)的双重优点，能够随写随读，在停止供应电力的状况下，其内部储存的资料也能够永久保存。
在过去几年中，新型记忆体技术不断涌入市场，如磁阻随机存取记忆体(MRAM)、相变随机存取记忆体(PRAM)、可变电阻式记忆体(ReRAM)。这些开发中的记忆体技术，无不强调更好的写入效能与寿命，然而，均尚未取得大批量产的突破。FRAM自1999年即开始投片生产，迄今全球出货量超过二十四亿颗，能广泛用于工业自动化设备、仪表、销售点(POS)、售票机、测量设备、智慧卡、银行终端等领域。
功耗低/写入快FRAM崭露锋芒
与传统非挥发性记忆体相比，FRAM的功耗很低，而且写入速度更快。同样的写入，FRAM功耗只有电子式可清除可编程唯读记忆体(EEPROM)的百分之一，写入时间是EEPROM的四万分之一，可媲美静态随机存取记忆体(SRAM)和动态随机存取记忆体(DRAM)的高速写入。此外，FRAM的读、写耐久性能远远优于EEPROM和快闪记忆体(Flash Memory)。EEPROM和Flash的写入次数大约是一百万次(106次方)，FRAM最高可写入1013次方，写入寿命可以达到一千万倍以上。
FRAM还有一个特点，亦即铁电材料是利用其极化特性来保存资料，因此在遭受放射线照射的情况下，资料也不会被破坏。EEPROM和Flash保存资料方式取决于电荷是否存在于元件的储存区，放射线会破坏内部电荷漂移而导致资料毁损，但FRAM是利用极化位置来判断0与1，因此不会受到影响。
FRAM的单元结构具有优秀的防窜改能力，能够防范未经授权的资料读取，并已通过EAL4+等级安全标准评估认证，在全球二十六个国家认可的共同业界标准中，EAL4+为最高阶的安全级别。如前所述，常用的记忆体保存资料取决于在储存单元的储存区是否有电荷。而电荷的变化可以被外部工具，如电子显微镜等侦测，进而对储存的资料进行非授权的存取。FRAM透过极化方式来记录资料，因此能够避免这种风险。
FRAM助攻医疗设备开创新价值
FRAM具有传统记忆体所没有的优点，包括快速写入、接近无限次读/写耐久性、低功耗和抗辐射性，能够为医疗设备及系统提升新价值。FRAM早已经被用于电子计算机X线断层扫描机(CT)和其他大型设备中，在较小型医疗设备中的应用也正不断地增加。内嵌FRAM记忆体的无线射频辨识系统(RFID)标签，亦开始大量被运用于医疗设备和生物制药的生产管理流程。
