北极星智能电网在线讯:日本京都大学工学研究科教授木本恒畅在2014年7月4日召开的“新一代功率半导体的冲击：SiC从下一代走向现代”尖端技术论坛(主办：《日经电子》)上，以“超高电压应用SiC功率器件的发展”为题发表了演讲，绍了日本学术振兴会的最尖端研究开发项目的成果。
SiC作为取代Si的功率器件备受期待，在高耐压领域尤其被看好。在600V～6000V耐压领域，瞄准混合动力车及铁道车辆用途的开发日益活跃，这一耐压下的应用需求，目前可通过肖特基势垒二极管(SBD)及MOSFET等SiC单极性器件满足。
而木本教授等人的FIRST项目研究的是能够实现更高耐压的PiN二极管及IGBT等SiC双极性器件。通过将这些高耐压器件应用于变电站、变频站、高压直流输电、医疗用加速器高压电源、高速铁道车辆等，有望降低电力损耗以及实现设备的小型化。另外，在将来的电网中，通过采用更高耐压的电子开关，还可实现电网与可再生能源、分布式电源、电动车组之间的联动，以及故障时的瞬间断电等远程操作。
