飞兆的超级节产品(SuperFET® MOSFET， SupreMOS® MOSFET)采用控制良好的工艺来制造。因此，在保持稳定的工艺、保持高性能和高品质的同时获得具有较低RDS(ON) 和导通状态电阻的产品。
SupreMOS MOSFET是第一个商业应用的超级节产品之一，它使用了基于飞兆先进工艺成功推出的沟道技术。相比竞争产品，SuperFET MOSFET具有高的dv/dt强度。
创新技术--高性能功率晶体管 SiC BJT
为了实现更高的功率密度，满足严格的能效规则和系统正常运行时间要求，工业和电力电子设计人员正在挑战他们自己，以便在他们的设计中降低功率损耗并改进 可靠性。然而，这些在比如可再生能源、工业电机驱动、高密度电源、汽车和高温工业钻探等应用设计中的努力会使他们的设计复杂化并导致整体系统成本更高。为 了帮助设计师满足这些挑战，在创新的高性能功率晶体管技术方面，随着可理想适用于功率转换系统的碳化硅(silicon carbide，SiC)技术解决方案的推出，飞兆半导体扩大了它的领导地位。
通过在它的产品组合中推出基于SiC的产品，飞兆在创新 的、高性能功率晶体管技术方面加强了它的产品领导力。在飞兆的SiC产品组合中，第一个推出的产品系列是先进的SiC双极结型晶体管(bipolar junction transistors，BJT)，可提供高效、大电流密度、稳健性、和高温工作的能力。通过采用格外有效的晶体管，飞兆的SiC BJT实现了更高的开关频率，因为其具有更低的导通和开关损耗(范围从30 - 50%)，在相同的系统外形尺寸下提供了多达40%的更高输出功率。
这些稳健的BJT使用了更小的电感、电容和散热器，能够降低总体系统成本达20%。由于具备更高效率和卓越的短路能力和反向偏压安全工作区域，在优化大功率变换应用的电源管理中，这些行业领先的SiC BJT将起到至关重要的作用。
