以高性能IGBT、MOSFET解决功率管理的挑战
功率管理的发展重心将逐渐集中在能效方面。飞兆半导体的高能效解决方案在应对当前功率管理挑战方面扮演着关键的角色。飞兆半导体推出的场截止IGBT具 备高电流能力、低传导损耗和低开关损耗、易于并联运行的正温度系数、最大结温： Tj=175℃ 、良好的一致性、更大的SOA(安全工作区)等优势，能够在高频应用中满足低能量损耗的要求。
飞兆半导体MOSFET技术开发工程师 Jaegil Lee先生表示，我们相信飞兆的600V平面型场截止 (Field Stop Planar) IGBT是能够用来满足客户需求的最好产品之一。对于高频应用中的低能量损耗要求，飞兆的600 V平面型场截止(Field Stop Planar) IGBT为客户提供了解决方案。为继续满足客户对于高功率密度的期望，并兼容各种市场应用，飞兆在2012年推出了650 V沟槽型场截止(Field Stop Trench) IGBT。其目标应用为工作在中频开关频率上的不间断电源(uninterruptable power supply，UPS)和电焊机应用。650 V沟槽型场截止(Field Stop Trench) IGBT拥有非常严格的关键参数控制，并通过加固设计来来保证短路特性来满足目标应用。
飞兆650 V沟槽型场截止(Field Stop Trench) IGBT会继续在高频应用中降低能量损耗和降低EMI等级等方面发展。
超级结MOSFET
飞兆半导体充分利用其高端工艺和前沿封装技术，不断推出高性能半导体产品，积极应对功率管理挑战，以优化电源、便携式、照明、电机、计算以及消费应用产 品的能效。飞兆推出的超级结MOSFET，采用先进制造工艺降低EPI电阻，解决了HV MOSFET中RDS(ON)的主要影响因素。超级结MOSFET技术能够有效隔离导电区域与电压阻断区域，在导通状态下，重掺杂外延区域可确保导通电阻 足够低;在关断状态下，夹断导电区域，充当电压持续层，可谓是突破硅限制的超级MOSFET。超级结MOSFET优势明显，在较低的输出电容(Eoss) 可获得轻载条件下较高的效率;较高的体二极管耐用性和较小的反向恢复电荷(Qrr)能为谐振转换器提供更可靠的系统。
飞兆半导体 MOSFET技术开发工程师Jaegil Lee先生表示，在超级节(Super-junction)结构中，通过增加N-epi掺杂浓度可以实现较低电阻而不牺牲击穿电压，因为在表面p- well下增加了p-pillar。这对于既有的平面MOSFET来说是不可能的，因为掺杂浓度的增加会降低击穿电压。
