北极星智能电网在线讯:今年以来，“电子热”此起彼伏，各类技术创新更成为个股股价爆发的催化剂。
近日据相关媒体报道，复旦大学微电子学院张卫课题组成功研制出第一个介于普通MOSFET晶体管和浮栅晶体管之间的半浮栅晶体管(SFGT)，该研究成果被刊发在美国《科学》杂志上。分析人士表示，这是我国科学家首次在该杂志上发表微电子器件领域的论文，标志着我国在全球尖端集成电路技术创新链中获得了重大突破。预计此次微电子的罕见成就将催生新一波的“元器件热”，相关个股华微电子有望获得资金青睐。
微电子罕见成就意义重大
据相关媒体报道，复旦大学微电子学院张卫课题组成功研制出第一个介于普通MOSFET晶体管和浮栅晶体管之间的半浮栅晶体管(SFGT)。8月9日，美国《科学》杂志刊发了该研究成果，这是我国科学家首次在该杂志上发表微电子器件领域的论文，标志着我国在全球尖端集成电路技术创新链中获得重大突破。
据介绍，金属—氧化物—半导体场效应晶体管(MOSFET)是目前集成电路中最基本的器件，而常用的U盘等闪存器件多采用另一种被称为浮栅晶体管的器件。此次研究人员把一个隧穿场效应晶体管(TFET)和浮栅器件结合起来，构成了一种全新的“半浮栅”结构器件，称为半浮栅晶体管。它具有高密度和低功耗的明显优势，可取代一部分静态随机存储器(SRAM)，并应用于动态随机存储器(DRAM)领域以及主动式图像传感器芯片(APS)领域。
据复旦大学微电子学院张卫介绍道，作为一种基础电子器件，半浮栅晶体管在存储和图像传感等领域的潜在应用市场规模超过300亿美元。它的成功研制将有助于我国掌握集成电路的核心技术，从而在国际芯片设计与制造领域内逐渐获得更多的话语权。
而不同于实验室研究的基于碳纳米管、石墨烯等新材料的晶体管，半浮栅晶体管是一种基于标准硅CMOS工艺的微电子器件。张卫表示，半浮栅晶体管兼容现有主流集成电路制造工艺，具有很好的产业化基础;不过，拥有核心专利并不等于拥有未来的广阔市常尽管半浮栅晶体管应用市场广阔，但前提是对核心专利进行优化布局。
