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高能效UV紫外线指数传感器抢占可穿戴市场商机(3)

北极星智能电网在线  来源:北极星智能电网在线    2014/7/28 13:37:57  我要投稿  

在硅基片上进行集成处理不仅节省空间而且可以改进UV测量本身。如果传感器IC不仅包含UV传感器也包含信号调节电路(例如运算放大器)和ADC,那么它就可以在工厂执行设备校准和编程,确保产品UV数据的一致性。如果一个MCU被集成到解决方案中去执行校准、数据读取、并以可用形式提供数据,那么这种能力将会进一步增强。

Silicon Labs首先将所有这些功能集成到单芯片解决方案中,在一个极小的2mmx2mm封装的单芯片IC中包含了UV指数传感器和数字处理电路。超小的2mm x 2mm封装有助于减小最终设计的尺寸并且降低物料清单(BOM)成本。廖华平强调:“UV指数传感器IC产品已经小到可以在典型的8.5英寸宽的页面中放置655颗这种传感器。”

延长电池寿命是可穿戴设计的另一个难题,Si11xx的超低功耗架构可帮助用户采用更小电池实现更薄的可穿戴式设计,在每秒一次的UV测量速率下平均电流低至1.2μA,待机电流更是小于500nA,有效的延长了电池寿命。



图2. 单芯片UV指数传感器IC架构示例

在功耗显著低于同类产品条件下,传感器也提供了更大的灵敏度和感应距离。凭着单一的25.6μs红外光LED工作时间,高灵敏度的IR传感器能够在移动感应和手势识别应用中明显延长电池寿命,同时保持长达50cm的感应距离。此外,LED电流动态调整也进一步降低了系统功耗。

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