Jean-Christophe Doucet透露，预计在2018年我们会看到CISSOID的产品被广泛使用于新一代的大型客机，同时电驱动的刹车系统也将迈向快速发展。
部署新一代功率器件材料：碳化硅 (SiC)
钟闻庆认为，如同IGBT从产生到广泛应用的10年发展期，碳化硅在会在3~5年内推动功率半导体的革命性改变，因为它在与传统功率器件保持相同功耗之下，可以实现更低的成本以及更简单的工艺。而碳化硅器件的发展还需要多项耐高温的工艺的支持，在此方面，CISSOID拥有非常多的经验和长项。
据悉，诺卫卡公司在碳化硅和蓝宝石材料与技术方面拥有丰富的经验，主要可为中国的工业与交通市场提供宽禁带半导体碳化硅沉底、外延、器件、设备、加工耗材及相关配套产品。诺卫卡公司将其专业技术与CISSOID的技术结合在一起，形成了独特的产品系列，例如SiC电源开关专用的隔离式栅极驱动器HADES技术、高温SiC MOSFET以及SiC传感元件的高温信号调节器。
