1. 工艺制程之战：从28nm转战更低先进制程工艺技术
Cadence全球区域运营资深副总裁Charlie 黄小立曾评价道，对FPGA厂商来说，他们完全就是在拼工艺。事实正是如此，从X和A公司在工艺上的差别和代工厂商的选择来看，双方一直给人一种拼得“你死我活”的感觉。之前的节点大家估计都很熟悉，就不谈了，那就从28nm以后的谈起吧。
在28nm节点，X和A公司都选择台积电28nm工艺技术。
不同的是X选择28nm高性能与低功耗( HLP)工艺，构建出一个全新的、统一的、可扩展的架构。其优点是未来Virtex和Spartan的用户可以用一个统一 的平台开发高、中、低端应用，开发成本和工程资源都可以大幅降低。而A则更强调高性能的改进和提高，选择28nm高性能工艺，希望可以扩大自己在高速串口方面的领先优势，并通过采用28nm高性能工艺能为用户提供清晰的差异化解决方案。
在20nm节点，X和A公司都选择台积电20nm工艺。
X公司宣称其20nm的3DIC等产品将具有更高集成度和性能。X公司全球高级副总裁，亚太区执行总裁汤立人表示，Xilinx在20nm产品的表现上还将保持领先一代的优势，下一代FPGA及第二代SoC和3D IC将与Vivado设计套件“协同优化”。延续28nm工艺一系列行业创新，X公司在20nm工艺节点再次推出两大行业第一：投片半导体行业首款20nm器件，也是可编程逻辑器件(PLD)行业首款 20nm All Programmable器件;发布行业第一个ASIC级可编程架构UltraScale。这些具有里程碑意义的行业第一发布，延续了X公司在28nm 领域投片首款器件以及在All Programmable SoC、All Programmable 3D IC和SoC增强型设计套件上所实现的一系列行业第一的优势。
A公司采用TSMC的高性价比20nm工艺，以优化功耗和性能，双方将实现多项重大产品和技术创新。未来将凭借其异构3D IC、高速收发器和高运算性能的DSP三大创新技术在PLD市场的表现，以及向高性能化和低功耗化发展之道。A公司将目光瞄准了高性能要求较为强烈的工业设备等产品，打算于2013年下半年开始样品供货。
更低制程工艺上的差异化，X公司选择台积电16nm，A公司宣称与英特尔14nm工艺进行合作。
在16nm节点上，X公司继续选择台积电。X公司和台积电共同宣布联手推动一项赛灵思称之为“FinFast”的专项计划，采用台积电先进的 16FinFET工艺打造拥有最快上市、最高性能优势的FPGA器件。双方分别投入所需的资源组成一支专属团队，针对FinFET工艺和赛灵思 UltraScale架构进行最优化。基于此项计划，16FinFET测试芯片预计2013年晚些时候推出，而首款产品将于2014年问市。
