北极星智能电网在线讯:据最新调查报告，预计2012年全球分立功率半导体市场将同比增长3.7%，产值达134亿美元。相比2011年的2.2%有了微幅的提升，同时，细分市场数据显示，对于不同的产品以及应用市场可说是冰火两重天。
2012年增长最快的分立器件和模块产品仍为IGBT。2011年，IGBT销售额首次超过10亿美元，年内大部分时间都处于供不应求的状态。这种境况一直到欧债危机及中国政府暂停了相应的能源补贴之后才有所减缓。2012年，IGBT增长的动力来自于工业电机驱动器和电源模块，以及混合动力汽车应用。预计虽然增长会放缓，但是IGBT市场仍将取得19%的增幅。
然而2011年，功率MOSFET、可控硅和GTO、IGCT、GCT的增长缓慢。MOSFET和整流器在功率半导体市场所占的份额总和将由2011年的75%下滑至2012年的74%以下，到2016年将进一步下滑至仅72%。
全球IGCT市场规模2012年为3.9亿人民币，增长趋势受经济影响，开始放缓。
